三星上个月表示，它已经开始生产基于3nm工艺的芯片，该工艺使用Gate-All-All(GAA晶体管架构。
该公司今天在韩国的一次活动上透露，它已经开始在华城园区的V1线(仅限EUV出货第一批使用GAA技术制造的3nm芯片。
三星电子的铸造事业部怀着“我们将用创新技术前进，成为世界上最好”的信念，寻求通过3nm GAA工艺和先发制人的铸造技术的大规模生产来增加其业务的竞争力。
据三星表示，约有100人出席了此次活动，其中包括三星电子首席执行官等高管、供应商以及从事3nm GAA研发和量产的主管和工人。
根据三星的说法，平泽园区最终将增加3nm GAA芯片制造。